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K6X0808C1D家庭
文档标题
32Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
1.0
历史
最初的草案
敲定
- 改变了我
CC
从10mA至5毫安
- 改变了我
CC1
从8毫安到7毫安
- 改变了我
CC2
从35mA至25毫安
- 改变了我
SB
从3毫安至0.4mA
- 改变了我
DR
对于K6X0808C1D -F 15μA至10μA
- 改变了我
DR
对于K6X0808C1D -Q 25μA至20μA
- 修正勘误表
数据稿
2002年10月9日
2003年12月16日
备注
初步
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年12月
