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K7N163601A
K7N161801A
输出负载（ A）
512Kx36 & 1Mx18流水线NtRAM
TM
输出负载（ B）
（对于T
LZC
, t
LZOE
, t
HZOE
＆放大器;牛逼
HZC
)
RL=50
30pF*
VL = 1.5V为3.3V的I / O
V
DDQ
/ 2为2.5V的I / O
DOUT
353
/
1538
+ 3.3V为3.3V的I / O
/+2.5V为2.5V的I / O
319
/
1667
DOUT
Zo=50
5pF*
*包括范围和夹具电容
图。 1
AC时序特性
(V
DD
= 3.3V + 0.165V / -0.165V ，T
A
= 0 70℃ ）
-25
参数
周期
时钟存取时间
输出使能到数据有效
钟高输出低Z
从时钟高电平输出保持
输出使能低到输出低Z
输出使能高到输出高阻
钟高输出高-Z
时钟高电平脉冲宽度
时钟低脉冲宽度
地址设置为时钟高
CKE设置为时钟高
数据建立到时钟高
写设置时钟高（WE ， BW
X
)
针对高级设置到时钟高
片选设置为时钟高
从时钟高地址保持
从时钟高CKE保持
从时钟的高数据保持
而写时钟高（WE ， BW举行
X
)
解决因高时钟提前举行
从芯片的时钟选择高保持
ZZ高到掉电
ZZ低功率可达
符号
t
CYC
t
CD
t
OE
t
LZC
t
OH
t
LZOE
t
HZOE
t
HZC
t
CH
t
CL
t
AS
t
CES
t
DS
t
WS
t
ADVS
t
CSS
t
AH
t
CEH
t
DH
t
WH
t
ADVH
t
CSH
t
PDS
t
PUS
民
4.0
-
-
1.5
1.5
0
-
-
1.7
1.7
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
2
2
最大
-
2.6
2.6
-
-
-
2.6
2.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
民
5.0
-
-
1.5
1.5
0
-
-
2.0
2.0
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
2
2
-20
最大
-
3.2
3.2
-
-
-
3.0
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
民
6.0
-
-
1.5
1.5
0
-
-
2.2
2.2
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
2
2
-16
最大
-
3.5
3.5
-
-
-
3.0
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
民
7.5
-
-
1.5
1.5
0
-
-
3.0
3.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
2
2
-13
最大
-
4.2
4.2
-
-
-
3.5
3.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
周期
周期
注释：
1.上述参数也保证在工业级温度范围。
2 。所有地址输入必须符合规定的建立和保持时间都上升时钟（ CLK ）边缘时， ADV采样为低电平且CS采样
低。所有其他的同步输入必须符合规定的建立和保持时间，只要该设备是芯片的选择。
3.芯片选择必须是有效的，在CLK的每个上升沿（当ADV为低），以保持启用。
4.写周期是指由低WE已经注册到设备的ADV低，一个读周期是由我们定义的高与低ADV ，
这两种情况下必须满足建立和保持时间。
5.为了防止总线冲突，在给定的电压和温度t
LZC
大于吨
HZC 。
规格如图并不意味着总线争用，因为吨
LZC
是民。参数，该参数是最坏的情况下，在完全不同的测试条件下
（ 0 ° C， 3.465V ）于T
^ h z对于C
，这是一个最大。参数（最坏的情况下在70℃下， 3.135V ）
它不可能在同一基板2的SRAM是在这样的不同的电压和温度。
- 13 -
2003年11月
修订版3.0
