K9T1G08U0M
K9T1G08U0M的指针操作
FL灰内存
初步
三星NAND闪存具有三个地址指针的命令，以替代两个最显著列地址。 “00H”
命令将指针设置为' A'区（ 0 255byte ） ， “ 01H ”命令将指针设置为' B'区（ 256 511byte ） ，和“ 50小时”的命令集
指针指向“C”区域（ 512 527byte ） 。通过这些命令，起始列地址可设置为任何一个整体的
页（ 0 527byte ） 。 “ 00H ”或“ 50H ”一直持续到另外一个地址指针命令输入。是“01h ”命令，然而，是有效
只为一个操作。中读取任何操作后，编程，擦除，复位， POWER_UP与“ 01H ”命令执行一次，
本身地址指针返回到“A”区。要设置从“A”或“C”区， “00H”或起始数据“ 50H ”命令，必须输入
之前， “ 80H ”命令写入。之前'为80h '命令的一个完整的读操作是没有必要的。编程从数据出发
'B'区' 01H '命令，必须输入正确的前“ 80H ”命令写入。
"A"区
（ 00H平面）
"B"区
（ 01H平面）
256字节
"C"区
（ 50H平面）
16个字节
表2.目的地的指针的
命令
00h
01h
50h
指针的位置
0 255字节
256 511字节
512 527字节
区域
上半场阵列（ A）
下半场阵列（B ）
备用阵列（ C）
256字节
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ QUOT ; C＆ QUOT ;
国内
页寄存器
指针选择
commnad
(00h, 01h, 50h)
指针
指针操作图5.框图
（ 1）编程命令输入序列“A”区
地址指针设置为“A”区域（0 255） ，并且持续
地址/数据输入
00h
80h
10h
00h
80h
地址/数据输入
10h
“A” ， “B” ， “C”区域可被编程。
它取决于有多少数据被输入。
是“00h ”命令可以省略。
（ 2 ）编程'B'区的命令输入序列
地址指针设置为“B”区域（256 511） ，和将被重置为
每个程序运行后， “A”区域执行。
地址/数据输入
01h
80h
10h
01h
80h
地址/数据输入
10h
“B” ， “C”区域可被编程。
它取决于有多少数据被输入。
“ 01H ”命令之前必须重写
每个程序运行
（ 3 ）编程“C”区命令输入序列
地址指针设置为“C”区域（512 527 ） ，和持续
地址/数据输入
50h
80h
10h
50h
80h
地址/数据输入
10h
只有“C”区域可被编程。
“ 50小时”的命令可以省略。
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