K9T1G08U0M
文档标题
128M x 8位NAND闪存
FL灰内存
初步
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
草案日期
2003年8月7日
二○○三年十月二十〇日
2004年3月9日
2004年4月24日
五月。 2004年第24届
2004年10月25日
备注
先进
初步
初步
初步
初步
初步
首次发行。
t R以改变。 [老： 12μs （最大值） ，新：为15μs （最大）
CE必须保持低电平期间TR补充说。
1.添加在WSOP1 PKG图突起/伯尔值。
1. PKG （ TSOP1 ， WSOP1 ）尺寸变化
1.技术说明改变
的编程/擦除特性2.Note1添加
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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