
ADG728/ADG729–SPECIFICATIONS
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
逻辑输入( A0 , A1 )
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
,输入电容
逻辑输入( SCL , SDA )
2
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
I
IN
,输入漏电流
V
HYST
,输入滞后
C
IN
,输入电容
逻辑输出( SDA )
2
V
OL
,输出低电压
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
ADG728
ADG729
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
ADG728
ADG729
C
D
, C
S
(上)
ADG728
ADG729
电源要求
I
DD
N
OTES
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
2
1
1
(V
DD
= 5 V
的10% ,GND = 0V ,除非另有说明。 )
B版本
–40 C
25 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
2.5
4.5
0.75
1.2
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
5
0.4
0.8
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
V分钟
V最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
V分钟
pF的典型值
V最大
V最大
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V / 4.5 V ,测试电路2
V
D
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V / 4.5 V ,测试电路3
V
D
= V
S
= 4.5 V / 1 V ,测试电路4
±
0.3
±
1
±
1
2.4
0.8
2
0.005
6
±
0.1
0.7 V
DD
V
DD
+ 0.3
–0.3
0.3 V
DD
0.005
0.05 V
DD
6
0.4
0.6
95
140
85
130
8
±
3
–55
–75
–55
–75
65
100
13
85
42
96
48
10
20
1
±
1.0
V
IN
= 0 V到V
DD
I
SINK
= 3毫安
I
SINK
= 6毫安
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,测试电路5 ;
V
S1
= 3 V
V
S1
= 3 V ,R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= 3 V ,测试电路5
V
S
= 2.5 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的;
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的;
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的,测试电路8
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
–2–
第0版