半导体
技术参数
低电压高开关速度。
特点
低正向电压： V
F(2)
= 0.23V （典型值）。
小型封装： USC 。
阴极标记
B
1
KDR368
肖特基型二极管
G
K
E
A
H
2
D
J
C
I
最大额定值（ TA = 25
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
存储温度范围
4 4毫米垫的尺寸。
)
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
20
20
200
100
1
150*
125
-55 125
单位
V
V
mA
mA
A
mW
M
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
MILLIMETERS
_
2.50 + 0.1
_ 0.05
1.25 +
_
0.90 + 0.05
0.30+0.06/-0.04
_
1.70 + 0.05
MIN 0.17
_
0.126 + 0.03
0~0.1
1.0 MAX
_
0.15 + 0.05
_
0.4 + 0.05
2 +4/-2
4~6
1.阳极
2.阴极
南加州大学
* ：安装在20 20mm的玻璃环氧电路板，
记号
型号名称
U4
电气特性（ TA = 25 ）
特征
符号
V
F(1)
正向电压
V
F(2)
V
F(3)
反向电流
总电容
I
R
C
T
I
F
=1mA
I
F
=5mA
I
F
=100mA
V
R
=10V
V
R
= 10V ， F = 1MHz的
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
0.18
0.23
0.35
-
20
马克斯。
-
0.30
0.50
20
40
A
pF
V
单位
2003. 2. 25
版本号： 2
F
L
1/2
