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KM4132G271B
页读&写周期AT同一银行@BURST长度= 4
0
时钟
CKE
高
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
CMOS SGRAM
16
17
18
19
CS
t
RCD
RAS
CAS
ADDR
A
9
Ra
Ca0
Cb0
Cc0
Cd0
A
8
Ra
t
CDL
WE
*注2
t
RDL
DSF
*注1
*注3
DQM
DQ
(CL=2)
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
DQ
(CL=3)
Qa0
Qa1
Qb0
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
行活动
（A银行）
读
（A银行）
读
（A银行）
写
（A银行）
写
（A银行）
预充电
（A银行）
：唐
′
在意
*注意：
1.要写入的数据突发读取结束前， DQM应置3周来写之前
命令，以避免总线冲突。
2.行预充电将中断写作。最后的数据输入，
t
RDL
行预充电之前，将被写入。
声称预充电时， 3 DQM应掩盖对预充电命令周期无效的输入数据
前一阵的结束。之后行预充电周期的输入数据将在内部屏蔽。
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修订版2.4 （ 1998年5月）
