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KM4132G271B
128K X 32位×2组同步图形RAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
双组/脉冲RAS
MRS周期与解决关键程序
- 。 CAS延迟（ 2,3）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
DQM 0-3字节屏蔽
自动&自我刷新
16ms的刷新周期（ 1K循环）
100引脚PQFP ， TQFP （ 14 ×20 MM）
反向类型封装提供了最好的信号路由
CMOS SGRAM
概述
该KM4132G271B为8,388,608比特同步高速数据
率动态RAM组织为2× 131,072字32位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。 I / O事务处理可在每
时钟周期。工作频率范围，可编程
突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高perfor-的有用
曼斯存储器系统的应用程序。
写每比特和8列阻止写入性能提高
图形系统。
订购信息
产品型号
KM4132G271BQ(R)-7
KM4132G271BQ(R)-8
KM4132G271BQ(R)-10
KM4132G271BTQ(R)-7
KM4132G271BTQ(R)-8
KM4132G271BTQ(R)-10
最大频率。
143MHz
125MHz
100MHz
143MHz
125MHz
100MHz
LVTTL
100 TQFP
LVTTL
100 PQFP
接口
包
图形功能
SMRS周期。
- 。负载屏蔽寄存器
- 。负载套色
写每比特（老蒙）
块写（ 8列）
* G271BQR ＃ / G271BTQR ＃ ：反转类型封装
功能框图
DQMi
块
写
控制
逻辑
CLK
CKE
CS
面膜
写
面膜
注册
颜色
注册
输入缓冲器
控制
逻辑
MUX
COLUMN
面膜
DQMi
DQI
(i=0~31)
注册时间
RAS
CAS
WE
DSF
DQMi
128Kx32
CELL
ARRAY
128Kx32
CELL
ARRAY
排Decorder
银行的选择
串行
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新
计数器
地址寄存器
时钟地址（A
0
~A
9
)
-3-
输出缓冲器
潜伏期&
突发长度
程序设计
注册
COLUMN
decorder
SENSE
扩音器
修订版2.4 （ 1998年5月）
