位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第115页 > KM4132G271BTQR-10 > KM4132G271BTQR-10 PDF资料 > KM4132G271BTQR-10 PDF资料1第16页
KM4132G271B
设备操作（续）
进入关机，自动刷新，自刷新和模式稳压
存器设置等，可能只有两家银行都处于空闲状态。
CMOS SGRAM
自刷新
自刷新是另一刷新模式中可用的
SGRAM 。自刷新是优选的刷新模式为数据
保留和SGRAM的低功耗操作。在自刷新
模式下， SGRAM禁止内部时钟和所有的输入
缓冲区CKE除外。刷新寻址和定时是
内部产生的，以减少功率消耗。
自刷新模式从所有银行进入空闲状态下，
主张低CS ， RAS ， CAS和CKE高的WE 。
一旦自刷新模式时被输入，只有CKE的状态为低
事项，所有其他投入包括时钟被忽略
为了保持在自刷新模式。
自刷新是通过重新启动外部时钟和退出
然后宣称在高CKE 。这必须跟NOP的
对于"吨的最小时间
RC
"前SGRAM达到闲置
状态开始正常运行。如果系统使用爆裂汽车
在正常操作期间刷新时，建议使用脉冲串
1024自动刷新周期在退出自刷新后即可。
自动预充电
在预充电操作，也可以通过使用自动执行
预充电。该SGRAM内部生成的定时，以满足
t
RAS
（分钟）和"吨
RP
" ，用于编程的突发长度和CAS
潜伏期。在相同发出的自动预充电命令
时间，突发读取或主张对高突发写入
8
。如果爆
读或突发写入指令与低上的发行
8
，银行
留活性，直到一个新的命令被断言。一旦自动预
充电指令被给出，没有新命令是可能的，以
直到该行特定的银行达到空闲状态。
两家银行预充电
两个银行可以在同一时间通过利用预先进行预充电
负责所有命令。主张低CS ， RAS ，以及我们与
高上的
8
后两家银行已符合吨
RAS
（分）要求一
包换，进行预充电的两岸。在t的端
RP
后
所有进行预充电，两家银行都处于空闲状态。
定义特殊功能（ DSF ）
该DSF控制SGRAM的图形应用程序。如果DSF是
绑低， SGRAM功能128K ×32 ×2行的SDRAM 。
SGRAM可以通过适当的可以用作统一存储器
DSF命令。所有的图形功能模式，可以输入
只有通过设置DSF高时发出该问题WHO命令
聪明的将是正常的SDRAM命令。 SDRAM功能
如RAS活性，写和WCBR变化SGRAM功能
系统蒸发散，如RAS主动与WPB ，块写和SWCBR
分别。请参阅以下部分为图形功能
DSF控制。
自动刷新
需要SGRAM的存储单元被刷新每16毫秒
保持数据。自动刷新周期完成刷新
存储单元的一行。内部计数器递增
自动在每个自动刷新周期刷新所有行。
通过在CS ， RAS断言低发出自动刷新命令
和CAS高的CKE和WE 。自动刷新命令
只能断言与两家银行在空闲状态和被
设备未处于掉电模式（CKE是高在上
周期） 。需要填写的自动刷新操作时
由"吨规定
RC
（分钟） " 。个时钟周期的最小数目
需要通过驱动"吨计算
RC
"与时钟周期时间
和他们舍入到下一个较高的整数。汽车
刷新命令后面必须跟NOP的，直到汽车
刷新操作
i
完成。两家银行将在空闲
状态在自动刷新操作结束。自动刷新是
当SGRAM被用于去甲优选刷新模式
发作的数据事务。自动刷新周期可以执行
曾经在15.6us或爆裂的1024自动刷新周期中的一次
16ms.
特殊模式寄存器组（ SMRS ）
有两种特殊的模式寄存器中SGRAM.One是
颜色寄存器，另一个是屏蔽寄存器。这些用法会
在"WRITE解释PER BIT"和"BLOCK WRITE"节
系统蒸发散。当A
5
和DSF变高，在同一周期的CS ，
RAS ， CAS和WE变低，负载屏蔽寄存器（ LMR ）亲
塞斯被执行，所述掩模寄存器被填充有
口罩通过DQ引脚相关的DQ的。当A
6
和
DSF变高，在同一周期中的CS ， RAS，CAS和WE
变低，负载颜色寄存器执行（ LCR ）和过程
颜色寄存器充满了色彩数据的相关DQ的
通过DQ引脚。如果同时
5
AND A
6
高在SMRS ，数据
面具和色彩周期需要完成的写
屏蔽寄存器和彩色登记在LMR和LCR respec-
tively 。一个新的命令可以在LMR的下一个时钟发出
或LCR 。 SMRS ，与杜相比，可以在有源发出
条件是DQ的空闲状态下。在写操作
灰， SMRS接受通过DQ引脚需要的数据。 There-
必须避免脱颖而出总线争用。更详细的
材料可通过参照相应的定时来获得dia-
克。
- 16
修订版2.4 （ 1998年5月）
