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数据表
过载恢复
输入
R
L
= 2k
V
in
=2V
pp
G=5
R
f
= 1k
产量
KM4100/KM4101
请参考图中所示的评估板布局
7以获取更多信息。
评估板信息
下面，同时提供评估板，以帮助
在该装置中的检测和布局：
评估板
KEB002
KEB003
描述
制品
输入电压（ 0.5V / DIV ）
单通道，
KM4100IT5,
双电源5 & 6引脚SOT23 KM4101IT6
单通道，双电源
8引脚SOIC
KM4100IC8,
KM4101IC8
时间（为20ns /格）
图4 ：过驱动恢复
驱动容性负载
频率响应对丙
L
绘制4页，
示出了KM4100和KM4101的反应。一
小串联电阻（R
s
）在放大器的输出端，
在图5中示出，将改善的稳定性和
稳定的性能。
s
中的频率值
反应对丙
L
阴谋被选为达到最大
带宽小于峰值的1分贝。为了获得最大的
平整度，使用更大的
s
.
评估电路板原理图和布局都显示在
图6和图7 。
该KEB002和KEB003评估板建
双电源供电。请按照下列步骤使用
董事会在单电源应用：
1.短-V
s
对地
2.使用C3和C4中，如果-V
s
在KM4100的引脚或
KM4101不直接连接到所述
接地平面。
+
-
R
f
R
g
R
s
C
L
R
L
图5 ：典型拓扑驱动
电容性负载
布局的注意事项
总体布局和电源旁路扮演重要角色
在高频性能。飞兆半导体拥有评价
板，以作为高频布局的引导用
并以辅助设备的测试和表征。
按照下面的步骤进行高频率的基础
布局：
包括6.8μF和0.01μF的陶瓷电容器
s
在0.75英寸放置6.8μF电容
电源引脚的
s
在0.1英寸放置0.01μF电容
电源引脚的
s
在和周围的拆除地面
部分，尤其是靠近输入和输出管脚，以
降低寄生电容
s
最小化所有走线长度，减少
串联电感
s
图6 ：评估板电路图
（ SOIC引脚图所示）
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REV 。 2001年二月1A
