FSL130D ， FSL130R
1998年6月
8A ， 100V ， 0.230欧姆，抗辐射，
SEGR耐，N沟道功率MOSFET
描述
Intersil公司的分立产品具有操作
开发出一系列抗辐射的MOSFET specif-
ically专为商业和军事应用的空间
系统蒸发散。增强型功率MOSFET的抗单事件
效应（ SEE） ，单粒子栅穿（ SEGR ）在particu-
拉尔，是结合100K RADS总剂量硬度至
提供它们非常适合于恶劣的太空envi-设备
境下。剂量率和必要的中子公差
军事应用还没有的牺牲网络土木工程署。
的耐SEGR辐射Intersil的产品组合硬化
包括MOSFET的N沟道和P沟道的设备
各种电压，电流和导通电阻的评分。
众多的包装选项也可用。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率
垂直DMOS （ VDMOS ）的科幻场效晶体管struc-
真实存在。它是专门设计和加工成辐射
宽容。 MOSFET被非常适合应用
暴露于辐射的环境中，如开关稳压
化，开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器和
驱动高功率双极开关晶体管要求
高速和低栅极驱动电源。这种类型的可
直接从集成电路操作。
可靠性筛选可以作为任何商业，热力膨胀阀
MIL-S- 19500 ，或空间等效的等效
MIL -S - 19500 。联系Intersil公司的任何期望偏差
从数据表。
特点
8A ， 100V ，R
DS （ ON）
= 0.230
总剂量
- 符合预RAD特定网络阳离子100K RAD （SI ）
单事件
- 安全工作区曲线的单粒子效应
- SEE免疫为36MeV /毫克/平方厘米LET
2
同
V
DS
高达80％的额定击穿和
V
GS
10V关偏置的
剂量率
- 通常情况下躲过3E9 Rad公司（SI ） / s的80 ％ BV
DSS
- 通常情况下躲过2E12如果电流限制在我
DM
光电流
- 1.5nA每- RAD （SI ） / s的典型
中子
- 维持前期-Rad公司特定网络阳离子
对于3E13中子/平方厘米
2
- 可用来3E14中子/平方厘米
2
订购信息
RAD LEVEL
10K
10K
100K
100K
100K
筛选LEVEL
广告
TXV
广告
TXV
空间
零件编号/ BRAND
FSL130D1
FSL130D3
FSL130R1
FSL130R3
FSL130R4
符号
D
G
以前作为类型TA17636 。
S
包
TO-205AF
D
G
S
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
4031.3
3-29
