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FSES0765RG
电气特性
（续）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
SENSEFET节
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
=最大，等级，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8 *最大，级别
V
GS
= 0V ，T
C
= 85°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.3A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
V
FB
=5V
V
FB
=5V
V
FB
=0V
V
FB
=5
11V
≤
VCC
≤
18V
V
FB
=5
-
V
FB
= 0V ， VCC = 15V
V
FB
= 0V ， VCC = 8.7V
0V
≤
V
FB
≤
0.4V
V
FB
≥
6.9V
V
FB
= 4V
VCC
≥ 17V
-
-
650
-
-
-
-
-
-
-
1.4
100
-
250
300
1.6
130
V
μA
μA
Ω
符号
条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
零栅极电压漏极电流
I
DSS
静态漏源导通电阻
输出电容
UVLO节
VCC启动阈值电压
VCC停止阈值电压（正常工作）
VCC停止阈值电压（突发操作）
振荡器部分
初始频率
电压稳定
最大占空比
最小占空比
反馈部分
反馈源电流（正常工作）
反馈源电流（突发操作）
反馈电压阈值停止开关
关机反馈电压
关机延迟电流
保护科
过电压保护
过电流保护阈值电压
(1)
热关断温度
(2)
R
DS （ ON）
科斯
pF
V
开始
V
停止
V
BSTOP
F
OSC
F
稳定
D
最大
D
民
I
FB
I
BFB
V
关闭
V
SD
I
延迟
V
OVP
V
AOCP
T
SD
11
8.5
7
18
0
48
-
0.7
70
0.2
7
1.6
18
0.9
140
12
9
7.5
20
1
55
0
0.9
100
0.3
7.5
2
19
1.0
-
13
9.5
8
22
3
62
-
1.1
130
0.4
8
2.4
20
1.1
-
V
V
V
千赫
%
%
%
mA
uA
V
V
μA
V
V
°C
注意：
1.这些参数，虽然保证在设计中，仅在EDS （晶片测试）过程中进行测试。
2.这些参数，虽然保证在设计中，未在大规模生产测试。
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