KSA1175
KSA1175
低频放大器
集电极 - 基极电压： V
CBO
= -60V
补到KSC2785
1
TO-92S
1.Emitter 2.收藏家3.基地
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
评级
-60
-50
-5
-150
250
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
NF
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
测试条件
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
= -1mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
V
CE
= -6V ，我
E
= -1mA
V
CE
= -6V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -6V ，我
C
= -0.3mA
F = 100Hz的，R
S
=10K
-0.50
50
40
-0.18
-0.62
180
2.8
6.0
20
分钟。
-60
-50
-5
-0.1
-0.1
700
-0.3
-0.80
V
V
兆赫
pF
dB
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
h
FE
分类
分类
h
FE
R
40 ~ 80
O
70 ~ 140
Y
120 ~ 240
G
200 ~ 400
L
350 ~ 700
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年9月
