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K4M28163LF - R（ B） E / N / S / C / L / R
部分阵列自刷新
移动SDRAM
1.为了节省功耗，移动SDRAM有PASR选项。
2.移动SDRAM支持3种PASR的自刷新模式：全系列1/2全系列和全系列的1/4。
BA1=0
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BA0=1
- 全阵列
- 1/2阵列
- 1/4阵列
局部自刷新区
内部温度补偿自刷新（ TCSR ）
1.为了节省功耗，移动-DRAM包括内部温度传感器和控制单元，以控制所述自
刷新周期自动根据两个温度范围：最大40
°C
和Max 85
° C（用于
扩展） ，最大70
° C（用于
商用） 。
2.如果EMRS外部TCSR由控制器发出的，用于TCSR此EMRS代码将被忽略。
自刷新电流（ Icc6 ）
温度范围
- E /
最大七十分之八十五
°C
最多40
°C
600
450
200
150
130
- N / L
全阵列
330
全阵列的1/2
230
全阵列的1/4
190
uA
- S / R
单位
B.开机顺序
1.接通电源，并尝试CKE保持在一个较高的状态，所有其他投入可能是不确定的。
- 之前或同时为VDDQ应用VDD。
2.保持稳定的功率，稳定的时钟和NOP指令的输入条件为至少200us的。
3.发出预充电命令的设备的所有银行。
4.第2期以上的自动刷新命令。
5.发行模式寄存器设置命令初始化模式寄存器。
6.发出一个扩展模式寄存器设置命令正常MRS后定义DS或PASR操作型设备。
EMRS周期不是强制性的， EMRS命令需要发出只有当DS或PASR使用。
没有发出EMRS命令的默认状态是全驱动强度和全阵列刷新。
该装置现在可以通过EMRS选择的操作。
对于DS或PASR ，集DS或PASR模式EMRS制定阶段工作。
为了调整在DS或PASR模式的状态的另一模式，则需要附加EMRS集但电序列是不
在这个时候再次需要。在这种情况下，所有银行都必须处于空闲状态调整设置EMRS之前。
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2004年2月
