半导体
技术参数
高电压应用。
特点
高转换频率：F
T
=100MHz(Typ.).
补充KTC2983D / L
A
C
KTA1225D/L
外延平面PNP晶体管
I
J
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta=25
Tc=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-160
-160
-5
-1.5
-0.3
1.0
10
150
-55 150
单位
V
V
V
A
A
W
A
C
H
F
1
2
F
3
P
L
暗淡
A
B
C
D
E
F
H
I
J
K
L
M
O
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60 + 0.2
_
6.10 + 0.2
_
5.0 + 0.2
_
1.10 + 0.2
_
2.70 + 0.2
_
2.30 + 0.1
1.00最大
_
2.30 + 0.2
_
0.5 + 0.1
_
2.00 + 0.20
_
0.50 + 0.10
_
0.91+ 0.10
_
0.90 + 0.1
_
1.00 + 0.10
0.95最大
B
K
E
M
Q
D
1.基地
2.收集
3.辐射源
DPAK
I
J
D
O
H
G
P
F
F
L
1
2
3
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60
+
0.2
_
6.10
+
0.2
_
5.0
+
0.2
_
1.10
+
0.2
_
9.50
+
0.6
_
2.30
+
0.1
_
0.76
+
0.1
1.0 MAX
_
2.30
+
0.2
_
0.5
+
0.1
_
2.0
+
0.2
_
0.50
+
0.1
_
1.0
+
0.1
0.90最大
Q
K
1.基地
2.收集
3.辐射源
E
B
IPAK
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
分类○： 70 140 ， Y： 120 240
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= -160V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-100mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-100mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
-
-
-160
-5.0
70
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
100
30
马克斯。
-1.0
-1.0
-
-
240
-1.5
-1.0
-
-
V
V
兆赫
pF
单位
A
A
V
V
2003. 3. 27
版本号： 2
1/3
