飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
热阻
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电极片的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益
（注1 ）
条件
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
I
C
= 15毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 1 GHz的
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
F = 2 GHz的
I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
F = 2 GHz的;
s
= 60
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
F = 2 GHz的
I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
F = 2 GHz的;
s
= 60
记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和
G
UM
S
21
-
=
10日志
-------------------------------------------------------------
分贝。
2
2
1
–
S
11
1
–
S
22
2
BFQ67W
参数
热阻结到
焊接点
条件
最多至T
s
= 118
°C;
注1
热阻
190 K / W
分钟。
60
典型值。
100
0.7
1.3
0.5
8
13
8
1.3
2
2.2
2.5
2.7
3
马克斯。
50
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
1995年9月
3
