HIP6502B

绝对最大额定值

电源电压，V

5VSB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V

12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14.5V

DLA ， DRV2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至V

12V

+0.3V

所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至+ 5VSB 0.3V

ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3级

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

87

最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150

o

C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

推荐工作条件

电源电压，V

5VSB

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V

±5%

最低5VSB供电电压是保障参数。 。 。 。 + 4.5V

数字输入，V

SX

, V

EN5VDL

, V

MSEL

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至+ 5.5V

环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0

o

C至70

o

C

结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0

o

C至125

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1.

θ

JA

测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。

电气连接特定的阳离子

参数

VCC电源电流

额定电源电流

关断电源电流

推荐工作条件，除非另有说明，请参考图1，图2和图3

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

I

5VSB

I

5VSB(OFF)

V

SS

= 0.8V

-

-

30

14

-

-

mA

mA

上电复位，软启动和电压监视器，

瑞星5VSB POR阈值

5VSB POR迟滞

瑞星12V阈值

12V滞后

瑞星3V3和5V的阈值

3V3和5V滞后

软启动电流

关断电压阈值

3.3V

纪念品

线性稳压器（ V

OUT1

)

睡眠状态调节

VSEN1标称电压电平

VSEN1欠压阈值上升

VSEN1欠压滞后

VSEN1输出电流

2.5V

纪念品

线性稳压器（ V

OUT2

)

规

VSEN2标称电压电平

VSEN2欠压阈值上升

VSEN2输出电流

I

VSEN2

5VSB = 5V

V

VSEN2

MSEL < 2.0V

-

-

-

250

-

2.5

2.075

300

2.0

-

-

-

%

V

V

mA

I

VSEN1

5VSB = 5V

V

VSEN1

MSEL > 1.8V

-

-

-

-

250

-

3.3

2.739

99

300

2.0

-

-

-

-

%

V

V

mV

mA

I

SS

V

SD

-

-

-

-

-

-

-

-

-

1.0

-

1.0

90

5

10

-

4.5

-

10.8

-

-

-

-

0.8

V

V

V

V

%

%

A

V

4