HIP6502B
发生。操作恢复140
o
C与
温度循环，直到发生故障，导致状态
被除去。
在HIP6502B应用中，任何一种活性的ATX输出的损失
(3.3V
IN
, 5V
IN
或12V
IN
;通过板上所检测
激活状态运行期间电压监视器）引起的
芯片切换到S5睡眠状态，除了报告
对故障/ MSEL引脚输入紫外线条件。从这个退出
强制S5状态只能通过返回来实现
断裂的输入电压高于欠压阈值，通过重置
通过去除5V芯片
SB
偏置电压，或通过使
SS引脚处于潜在的低于0.8V 。
由于各系统定时的事件，则建议
该软启动间隔不能设置成超过30毫秒。
关闭
在案件可能危及故障状态
计算机系统中，或者在任何其它时间，所有的HIP6502B
输出可以通过拉动下面的SS引脚被关闭
特定网络版关机水平（通常为0.8V ），具有漏极开路
或者可以吸收最少的集电极开路器件
2毫安。拉SS引脚为低电平有效关断所有
通过元素。当SS引脚的发布， HIP6502B
经历了一个新的软启动周期和恢复正常
根据对ATX电源和控制销操作
状态。
输出电压
的输出电压在内部设置，并且不需要任何
的外部元件。选择内存电压是
借助于完成MSEL引脚。离开MSEL引脚浮动
能够支持两个内存输出。拉MSEL
引脚低于0.9V启用只支持对2.5V
纪念品
输出。注意到，在一个典型的应用是很重要的
（如示于图3） ，设置MSEL低
不会阻止3.3V
纪念品
被操作的活跃
状态。拉MSEL引脚2.9V以上3.3V使
纪念品
输出支持，而已。下面的每一个3.3V
SB
斜坡上升，芯片
复位（参见软启动电路） ，或者在从S4 / S5出口
睡眠状态下，将MSEL设置锁存;在活性
状态（ S0 / S1 / S2）和S3睡眠状态，在MSEL任何改变
状态将被忽略。
布局的注意事项
在典型的应用中采用HIP6502B是一个相当
直截了当的实现。象与任何其它线性
调节器，注意必须被潜在地支付给少数
敏感的小信号部分，如那些连接
敏感节点或那些由通供给临界
电流。
功率元件（通过晶体管）与所述控制器
IC应放在第一个网络。该控制器应放置在
主板上的中心位置，更靠近存储器
加载如果可能的，但不是过度地远离时钟芯片或
该处理器。投保VSEN1和VSEN2连接
适当大小进行250毫安没有显着的
电阻损耗;类似的准则适用于VCLK
输出，可提供高达800毫安（典型值） 。如
目前对于VCLK的输出从ATX提供
3.3V ，从3V3引脚到3.3V平面的连接
的尺寸应携带的最大时钟输出电流
同时表现出很小的电压损失。类似地， 5VSB
引脚和5V引脚上载电流显着的水平 -
为了达到最佳效果，投保这些引脚连接到其
通过适当的痕迹相应来源。通
晶体管应放在能散热垫
匹配器件的功耗。在适用情况下
通过多个连接到一个大型的内部平面可以
显着降低设备的局部温度上升。
去耦的位置和散装电容应
遵循布局重新佛罗里达州阿拉斯他们的目的。因此，该
高频去耦电容应尽可能
尽可能地接近其去耦负载;那些
解耦控制器接近所述控制器的引脚，其
那些去耦负载接近负载连接器或
加载本身（如嵌入） 。虽然大容量电容
（铝电解电容或钽电容）的位置是
不是关键的，因为高频电容器放置，
有这些电容接近他们所服务的负载
可取的。
唯一的临界小信号分量是在软启动
电容C
SS
。找到这个组件接近的SS引脚
控制IC ，并连接到地通过通过放置在靠近
应用指南
软启动间隔
一个典型的ATX电源的5VSB输出能力
725毫安。在上电期间处于睡眠状态，它需要提供
苏夫网络cient电流来充电，所有的输出电容和
同时提供的电流一定量的输出
负载。绘制的电流过量的5VSB
在ATX输出会导致电压崩溃和诱发
连续重新启动对未知的影响模式
系统的行为或健康。
内置的软启动电路允许slew-的严格控制
了由HIP6502B受控的输出电压的速度，
从而使电源ups免费供应落客的事件。
由于输出斜坡上升以线性的方式，在
目前专门的充电输出电容即可
计算公式如下：
I
SS
-
I
COUT
= -----------------------------
×
Σ
(
C
OUT
×
V
OUT
)
，其中，
C
SS
×
V
BG
I
SS
- 软启动电流（典型值10μA ）
C
SS
- 软启动电容器
V
BG
- 能带隙电压（通常为1.26V ）
Σ
(C
OUT
X V
OUT
） - 之间的产品总和
电容和一个输出端的电压（总电荷
传送到所有输出）
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