RECTRON

半导体

技术规格

FMD1S

THRU

FMD7S

单相玻璃钝化

MINI快速恢复表面贴装整流桥

电压范围50到1000伏特电流0.8安培

特点

*浪涌过载额定值 - 30安培高峰

*理想的印刷电路板

*可靠的低造价，利用模压

*玻璃钝化装置

*极性符号上成型体

*安装位置：任意

*重量： 0.5克

MD -S

最大额定值和电气特性

25评分

o

C环境温度，除非另有规定。

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。

对于容性负载，减免电流20 ％ 。

单位：毫米

最大额定值

（在T

A

= 25

o

C除非另有说明）

评级

最大的经常峰值反向电压

最大RMS桥输入电压

最大直流阻断电压

最大正向平均整流输出

目前TA = 30

o

C

-on玻璃环氧P.C.B. （注1 ）

-on铝基材（注2 ）

峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）

典型结电容（注3 ）

工作和存储温度范围

电气特性

（在T

A

= 25°C除非另有说明）

特征

每桥最大正向电压降

元素在0.4A DC

额定最大反向电流

每个元素阻断电压DC

最大反向恢复时间（注4 ）

@T

A

= 25 C

@T

A

= 125 C

o

o

o

符号

V

RRM

V

RMS

V

DC

I

O

FMD1S

50

35

50

FMD2S

100

70

100

FMD3S

200

140

200

FMD4S

400

280

400

0.5

0.8

FMD5S

600

420

600

FMD6S

800

560

800

FMD7S

1000

700

1000

单位

伏

伏

伏

AMP

I

FSM

C

J

T

J,

T

英镑

符号

V

F

FMD1S

FMD2S

30

15

-55到+ 150

FMD3S

FMD4S

1.30

10

FMD5S

FMD6S

FMD7S

安培

pF

0

C

单位

伏

uAmps

uAmps

I

R

TRR

150

100

250

500

纳秒

1998-8

注：1.在玻璃环氧P.C.B.安装在0.05 ×0.05 “ （ 1.3× 1.3毫米）垫。

2.在铝基材P.C.B.为0.8 ×0.8× 0.25的区域“ （ 20× 20× 6.4毫米）安装在0.05 X 0.05 ” （1.27 X 1.27毫米）焊盘。

3.测量在1MHz和应用4.0伏的反向电压。

4.测试条件：我

F

= 0.5A ，我

R

= 1.0A ，我

RR

= 0.25A.

5.后缀“-S ”表面贴装的小型浸大桥。