三菱N沟道功率MOSFET
FK25SM-5
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
t
rr
参数
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V
I
D
= 12A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
250
±30
—
—
2
—
—
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3
0.12
1.44
11
2100
420
90
35
85
240
100
1.5
—
—
马克斯。
—
—
±10
1
4
0.16
1.92
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
0.50
150
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 150V ，我
D
= 12A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 25A ，D
is
/d
t
= -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
250
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
200
150
TW
100s
1ms
10ms
100
50
0
0
50
100
150
200
T
C
= 25°C
10
0
DC
单脉冲
7
5
3
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
案例温度T
C
(°C)
