三菱N沟道功率MOSFET
FK10UM-9
高速开关使用
电容与
漏源电压
（典型值）
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
科斯
西塞
10
3
7
5
开关特性
（典型值）
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
切换时间（纳秒）
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
10
–1
2 3
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
10
1
CRSS
TCH = 25°C
7 F = 1MHz的
5 V
GS
= 0V
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
栅源电压
VS.GATE CHARGE
（典型值）
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
40
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
20
16
V
DS
= 100V
200V
12
400V
8
源电流我
S
(A)
TCH = 25°C
I
D
= 10A
32
24
T
C
=125°C
16
25°C
75°C
4
8
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0
50
100
150
200
250
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
Feb.1999
