TISPPBL2SD
可编程过电压保护
爱立信组件PBL 3XXX SLIC组件
1999年8月
消退撬棍高保持电流防止直流闭锁。该TISPPBL2S缓冲门设计
降低时引起的电源交叉和感应过电压的SLIC电源的负载。
这些单芯片保护装置制作离子注入平面垂直权力结构的高
可靠性和系统正常运行他们几乎是透明的。该TISPPBL2S是TISPPBL2D
用不同的引脚。馈通环（导致4 - 5）和提示（导致1 - 8 ）连接已
单环（导致4）和提示更换（铅1）连接。这增加了包装的爬电距离
偏置到约0.7毫米的离地连接到超过3毫米。
绝对最大额定值
等级
重复峰值断态电压，I
G
= 0, -40°C
≤
T
J
≤
85°C
重复峰值门极 - 阴极电压，V
KA
= 0, -40°C
≤
T
J
≤
85°C
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
10/1000微秒（符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第1期， 1994年11月，第4节）
0.2 / 310微秒（ I3124 ，开路电压波形0.5 / 700微秒）
三百一分之五微秒（ ITU -T K20 K21 & ，开路电压波形10/700微秒）
1/20微秒（ITU-T K22 ，开路电压波形1.2 / 50微秒）
2/10微秒（符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第1期， 1994年11月，第4节）
非重复性峰值通态电流， 50/60赫兹（见注1和2 ）
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流，半微秒脉冲，阴极commoned （见注1 ）
工作自由空气的温度范围内
结温
存储温度范围
I
GSM
T
A
T
J
T
英镑
I
TSM
11
4.5
2.4
0.95
0.93
40
-40至+85
-40到+150
-40到+150
A
°C
°C
°C
A
I
TSP
30
40
40
100
100
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-100
-90
单位
V
V
注： 1，最初的保护必须是热平衡与-40°C
≤
T
J
≤
85°C 。电涌可能会重复后，设备返回到
它的初始条件。
2.这些不重复的额定电流是对于任一polarirty峰值。额定电流值可被涂在环
接地或尖端接地端子对。此外，无论是终端对可能的额定电流值应用
同时（在这种情况下，接地端子的电流将是一个单个端子对的额定电流值的两倍） 。以上
85°C ，线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
推荐工作条件
民
C
G
R
1
门去耦电容
TISPPBL2S串联电阻为GR -1089 -CORE第一级和第二级浪涌生存
TISPPBL2S串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
TISPPBL2S串联电阻的ITU- T推荐标准K20 / 21，用于
100
40
25
10
典型值
220
最大
单位
nF
电特性，T
AMB
= 25 ° C（除非另有说明）
参数
I
D
FF-态电流
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
测试条件
T
J
= -40 °C
T
J
= 85 °C
民
典型值
最大
-5
-50
单位
A
A
产品
2
信息
