TISPPBL2SD
可编程过电压保护
爱立信组件PBL 3XXX SLIC组件
1999年8月
可从过电压，则晶闸管将撬棍进入低电压接地导通状态中引用
条件。为平息过压撬棍晶闸管的高保持电流防止直流闭锁。
所述负的保护电压将栅极供给的总和（Ⅴ
BAT
）和峰值栅极（端子） -cathode
电压（V
GK （ BO ）
） 。在交流过压条件下V
GK （ BO ）
将小于3 V的集成晶体管
缓冲区中的TISPPBL2S大大降低保护的源和汇电流负载上的V
BAT
供应量。
没有晶体管，晶闸管的门极电流会收取V
BAT
供应量。电子电源
通常不设计得像一个电池进行充电。其结果是，在电子供给会关掉，并且
可控硅的栅极电流可以提供在SLIC供电电流。通常在SLIC电流将小于
栅极电流，这将导致供电电压增加并且通过一个供应破坏在SLIC
过电压。集成的晶体管缓冲消除这个问题。
快速上涨的冲动将导致短期超调栅极 - 阴极电压。负保护
脉冲条件下的电压也将增加，如果有栅极之间的长连接
去耦电容，C1和栅极端子。中的一个快速脉冲，栅极电流初始上升（我
G
）是
相同的阴极电流（I
K
） 。 60 A / μs的速率可以2.5厘米造成的0.6 V电压感应
印刷电路轨道。为了尽量减少这种感应电压上升保护电压，的长度
电容器向栅极端子跟踪应该被最小化。在保护器阴极布线感应电压
可以增加保护电压。这些电压可以通过路由通过的SLIC连接最小化
如图13和图14保护。
正的过电压（图14）通过在所述二极管部分的正向传导夹到地面
TISPPBL2S 。快速上涨的冲动将导致短期超调的正向电压（V
FRM
).
TISPPBL2S限制电压
该条款详细介绍了TISPPBL2S电压脉冲条件下限制水平。
测试电路
图3示出了用于脉冲限幅电压的测定的基本测试电路。在
冲动，高水平的电能和变化迅速率导致电气噪声被诱导或
引导到测量系统。这是可能的电噪声电压被多次
想要的信号电压。其中，用于降低噪声精细布线和测量技术。
电压小于2 V峰峰值。
脉冲发生器
一个Keytek ECAT E- Class系列100与E502激增的网络被用于测试。在E502产生
0.5 / 700的电压脉冲。这个特定的波形被用作它具有最快速率的电流上升（的di / dt ）的
常用的雷电浪涌波形的图。这最大限度地限制电压。图4
示出通过DUT的电流波前。为了产生± 20 A时， E502的峰值测试电流水平
充电电压设定为± 1960 V.图5示出了被测设备的电流的di / dt 。最初，眼波电流上升
60 A / μs的，这个速度则降低为峰值电流接近。在TISPPBL2S V
（BO）
调理
的di / dt约为50 A / μs的。
限制电压等级
第五装置，测定在图3的测试电路的50个设备分别从5个一组由
设备来自10分开处理装置地段。图7示出的总的波形变化
晶闸管跨越50台设备限制电压。这表明，最大的峰值限制电压（击穿
电压，V
（BO）
）为-62 V， 12 V的过冲超出了-50 V闸基准电源，V
GG
。的极限电压
超过了一个周期的栅极基准电源的电压电平（叔
（ BR ）
）约0.4微秒。
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