W180
应用信息
推荐的电路配置
为在系统中应用的功率的最佳性能
供应中所示的去耦方案
图4
应该被使用。
V
DD
去耦重要的是要既能减少相位抖动和
EMI辐射。该0.1 μF的去耦电容应
放在尽量靠近V
DD
销越好，否则在 -
XTAL连接或参考输入
XTAL连接或NC
GND
有折痕的走线电感会否定它的去耦能力。
如图10 μF的去耦电容应为钽
型。如需进一步EMI保护，在V
DD
连接可以是
通过铁氧体磁珠制成，如图所示。
推荐电路板布局
图5
显示了建议2层电路板布局。
1
8
W180
2
3
4
7
6
5
R1
时钟
产量
C1
0.1 F
3.3V或5V系统电源
FB
C2
10 μF钽
图4.推荐的电路配置
C1 =
C2 =
高频电源去耦
电容（ 0.1 μF推荐） 。
普通电源的低频
去耦电容（ 10μF的钽电容
推荐使用） 。
匹配值到线路阻抗
铁氧体磁珠
威盛GND平面
R1 =
FB
=
=
G
XTAL连接或参考输入
NC
C1
G
G
时钟输出
R1
G
电源输入
（ 3.3V或5V ）
FB
C2
图5.推荐电路板布局（ 2层板）
订购信息
订购代码
W180
频率。面膜
CODE
01, 02, 03
51. 52. 53
包
名字
G
套餐类型
8引脚塑封SOIC （ 150密耳）
文件编号： 38-07156牧师**
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