FDT3612
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 3.7A
V
DS
= 40V
8
电容（pF）
60V
80V
800
700
C
国际空间站
600
500
400
300
200
100
C
RSS
C
OSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
40
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
极限
10
100s
1ms
10ms
30
单脉冲
R
θJA
= 110 ° C / W
T
A
= 25°C
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJA
= 110
o
C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
o
100ms
10s
DC
1s
20
0.1
10
100
1000
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 110 ° C / W
P（ PK
)
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDT3612修订版C 1 （W）的
