FDN327N
典型特征
5
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 2A
4
V
DS
= 5V
10V
600
500
电容（pF）
15V
C
国际空间站
400
300
200
C
OSS
100
C
RSS
0
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
3
2
1
0
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
100
20
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
10
R
DS （ ON）
极限
1ms
10ms
100s
15
单脉冲
R
θJA
= 270 ° C / W
T
A
= 25°C
1
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θJA
= 270℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
o
o
100ms
1s
DC
10
0.1
5
0
10
100
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 270 ° C / W
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P（ PK）
t
1
t
2
单身
脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDN327N版本C （ W）
