FDN327N
2001年10月
FDN327N
N沟道1.8的Vgs指定的PowerTrench
MOSFET
概述
该20V N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高
电压的PowerTrench工艺。它已被优化为
电源管理应用。
特点
2 A， 20 V.
R
DS （ ON）
= 70毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 80毫欧@ V
GS
= 2.5 V
R
DS （ ON）
= 120毫欧@ V
GS
= 1.8 V
应用
负荷开关
电池保护
电源管理
低栅极电荷（ 4.5 NC典型值）
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
D
D
S
G
S
SuperSOT -3
TM
G
T
A
= 25°C除非另有说明
o
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
20
±
8
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
2
8
0.5
0.46
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
327
设备
FDN327N
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDN327N版本C （ W）
