FCH20N60 / FCA20N60 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
2
图2.传输特性
10
2
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
1
10
1
150
°
C
25
°
C
-55
°
C
10
0
10
0
注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
记
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
10
2
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
0.4
0.3
V
GS
= 10V
I
DR
，反向漏电流[ A]
R
DS （ ON）
[O ],
漏源导通电阻
10
1
0.2
V
GS
= 20V
0.1
150
°
C
10
0
25
°
C
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
注：t
J
= 25
°
C
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
10000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
图6.栅极电荷特性
12
9000
8000
7000
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
V
DS
= 100V
V
GS
，栅源电压[V]
C
RSS
= C
gd
10
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
8
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
-1
10
C
OSS
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
C
国际空间站
4
C
RSS
2
注：我
D
= 20A
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
FCH20N60 / FCA20N60版本A
www.fairchildsemi.com
