L6712A L6712
2
2
2
V
P RO摹
V
S_EA
------------------------------------
[%]
+
--------------------------
100
+
K
V
OS _RA
100
--------------------
-
-
V
UT _TOT_ACC
[%] =
(
EXT_REF_Accuracy [％]
)
+
REF_IN / OUT
EXT_REF
O 4 S
V
OUT
2
（与外部基准）
驱动部分
集成的高电流驱动器允许使用不同类型的功率MOS （又多个MOS降低
第r
DSON
） ，保持快速切换过渡。
该驱动高侧MOSFET配合使用BootX将引脚供给和PHASEx引脚的回报。司机
对于低侧MOSFET使用VCCDR引脚供电和保护地线引脚回报。 4.6V的最小电压
在VCCDR销才能启动该设备的操作。
该控制器体现了先进的防直通系统，以最大限度地减少低压侧体二极管CON-
duction时间保持良好的效率节约使用肖特基二极管。死区时间被减少到
几纳秒保证了高侧和低侧MOSFET的从不同时接通：
当高边MOSFET关断时，其源上的电压开始下降;当电压达到2V时，
低侧MOSFET的栅极驱动器被施加有30ns的延迟。当低侧MOSFET关断时，电压
在LGATEx销被感测。当它低于1V时，高侧MOSFET的栅极驱动器被施加了延迟
的为30ns 。如果流过电感器的电流为负，高侧MOSFET的源永远也不会下降。
以允许在低侧的MOSFET ，即使在这种情况下的转动，一个看门狗控制器是否已启用：如果
高边MOSFET的源极不降超过240ns ，低侧MOSFET接通，以便AL-
降脂电感器的负电流再循环。这种机制允许系统来调节
即使电流是负的。
该BootX的和VCCDR销钉从IC的电源（ VCC引脚）以及信号地分离
（ SGND引脚）和为了最大限度的开关噪声免疫力功率地（ PGND引脚） 。该另行
额定电源的不同的驱动程序使在场效应晶体管的选择高灵活性，允许使用逻辑电平的
MOSFET。供给的几个组合可被选择以优化应用程序的性能和效率
阳离子。电源转换也很灵活; 5V或12V总线可以自由选择。
峰值电流示出了用于上部和两相的图3， 10nF的下级驱动程序
容性负载已被使用。对于上驱动程序，源电流为1.9A ，而吸收电流为
1.5A采用V
BOOT
-V
相
= 12V ;类似地，对于较低的驱动，源极电流为2.4A ，而信宿
电流为2A与VCCDR = 12V 。
图3.驱动峰值电流：高压侧（左）和低端（右）
CH3 = HGATE1 ; CH4 = HGATE2
CH3 = LGATE1 ; CH4 = LGATE2
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