L6712A L6712
参考电路图
VIN
GNDin
C
IN
VCCDR
VCC
BOOT1
HS1
L1
BOOT2
UGATE2
PHASE2
LGATE2
ISEN2
Rg
HS2
L2
C
OUT
负载
UGATE1
PHASE1
LGATE1
ISEN1
Rg
LS1
LS2
PGNDS1
Rg
S2
S1
S0
L6712
L6712A
PGNDS2
保护地
PGOOD
COMP
C
F
Rg
VID2
VID1
VID0
REF_IN / OUT
PGOOD
垂
R
F
OSC / INH
SGND
FB
R
FB
VSEN
FBR
FBG
设备描述
该装置是实现BCD工艺的集成电路。它提供了完整的控制逻辑和亲
tections对于高性能双相降压转换器适用于大电流的DC / DC应用程序优化
阳离子。它被设计用来驱动N沟道MOSFET的两相同步整流降压拓扑结构。一
180度相移的两个阶段，允许减少在所述输入电容器的电流之间设置
波纹，也降低了尺寸和损耗。转换器的输出电压可被精确稳压
迟来，编程VID针脚，从0.900 3.300V为± 0.9 ％，达最大耐受temper-
ATURE和线路电压变化。可编程远程检测放大器避免了使用外部
电阻分压，允许回收横跨配电线路滴，也调整输出电压，以昼夜温差
同的值，从可用的参考。该器件可提供的平均电流模式控制，具有快速
瞬态响应。它包括一个150kHz的自由运行的振荡器通过电阻外部可调。
误差放大器具有15V / μs压摆率，允许进行快速的瞬态per-高带宽转换器
formances 。目前的信息看跨下MOSFET管
DSON
或通过检测电阻上
串联的金属氧化物半导体的LS在全差分模式。当前信息修正PWM输出，以
以平衡由每个相位进行平均电流。两相之间的电流共享然后
限定在±10％以上，除非考虑到传感元件传播的静态和动态条件下。垂
该功能可以：效果可以以最小化输出滤波器和负载瞬态响应进行编程
被禁用，并且可在销上的当前信息可以用于其它目的。该装置
防止过流，为每个阶段的业主立案法团的门槛，进入恒流模式。
由于电流读出跨越低侧的MOSFET ，该装置保持恒定的电感的底
器电流三角波。当低电压的检测设备重置所有的MOSFET
OFF突然重新启动。该器件还进行撬过电压保护器的立即释放
LY锁存器接通下部驱动器和驱动高FAULT引脚的操作。
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