L6712A L6712
不稳定的原因，介绍了危及良好的系统行为。一个重要的结果是
该开关损耗的高边MOSFET均显著增加。
出于这个原因，建议已经在设备定向为朝向所述mosfet和驱动侧
在GATEx和PHASEx痕迹走在一起向高边MOSFET ，以减少距离
（参见图16）。此外，由于PHASEx引脚为高边驱动器的返回路径，该引脚必须
直接连接到高压侧MOSFET的源极引脚有一个正确的驾驶这种MOSFET。对于LS
氧化物半导体场效应晶体管，所述返回路径是PGND引脚：它可以直接连接到电源接地平面（如果imple-
mented ）或以相同的方式来对LS MOSFET的源极。 GATEx和PHASEx连接（并且也
当没有电源接地平面被实现PGND ）也必须被设计来处理电流峰值在
过量2A （30密耳宽的建议） 。
几欧姆的栅极电阻降低了IC的功耗有助于而不损害系
统的效率。
其他组件的放置也很重要：
- 自举电容必须放在尽可能接近到BootX将和PHASEx引脚到最小值，以
减到创建的回路。
- 从Vcc和SGND去耦电容放置在尽可能靠近给相关引脚。
- 从VCCDR和GND去耦电容放置在尽可能靠近这些引脚。这capac-
itor维持在低侧MOSFET驱动器所需的峰值电流。
- 参阅SGND所有明智的组件，如频率设定电阻（如果存在的话），并
远程放大器分频器。
- 连接到SGND PGND平面上的一个点，以提高抗干扰能力。连接在负荷侧
（输出电容） ，如果遥感未实施，以避免不良的负载调节作用。
- 另外一个100nF的陶瓷电容，建议把靠近HS MOSFET的漏极。这有助于重新
ducing噪音。
- 相位引脚尖峰。由于HS MOSFET开关在困难模式中，重尖峰电压可以转播
供职于PHASE引脚。如果这些电压尖峰克服销的最大击穿电压，
该装置能吸收能量，并能引起损害。电压尖峰，必须用prop-限制
呃布局，利用栅极电阻，肖特基二极管并联的低侧MOSFET的和/或缓冲
网络上的低边MOSFET的值设置为低于26V ，为20ns的，以F
SW
的600kHz的最大。
图16.设备方向（左）和感网的路由（右） 。
为了LS MOSFET
（或检流电阻）
对HS MOSFET
（ 30密耳宽）
对LS MOSFET
（ 30密耳宽）
ST L6917
对HS MOSFET
（ 30密耳宽）
为了LS MOSFET
（或检流电阻）
为了调节输出
■
检测连接。
远程放大器：
将外部电阻器附近，以减少噪声注入和参考
SGND 。对于这些电阻器的连接（从远程负载）必须路由作为以平行网
以补偿沿着所述输出功率的痕迹损耗并且能够避免拾取任何噪音。连接 -
荷兰国际集团这些引脚在远离负荷点会导致非最佳负载调整率，增加产量的容
差为。
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在RG电阻必须放在尽可能接近的ISENx和PGNDSx销
为了限制噪声注入到器件中。 PCB走线连接这些电阻的读
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