L6919C
图24示出了MOSFET的温度与输出电流的稳态条件下，没有任何空气流动
或散热片。可以观察到，该氧化物半导体场效应晶体管是100℃下，在任何的条件。负载调整率也再
移植从10A到45A 。
图24. MOSFET的温度和负载调节
100
C]
90
80
70
60
50
40
30
高边MOS Q2
高边MOS Q4
低 - 侧MOS Q3
低 - 侧MOS Q1
1.250
1.240
1.230
VOUT [V]的
1.220
1.210
1.200
1.190
1.180
1.170
MOS温度[
o
20
0
5
10
15 20 25 30 35
输出电流[ A]
40
45
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
输出电流[ A]
动态性能
图25显示了系统响应于负载瞬变从图3A至45A 。的输出电压中包含的
± 50mV的范围内。附加的输出电容器可有助于减少在初始尖峰电压主要是由于ESR 。
图25. 3A至45A负载瞬态响应
图26示出了系统响应于一个VID的瞬态从1.200V至0.800V ，反之亦然，在最小负荷（3A） 。
图26.动态VID响应
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