L6917B
其中，低侧MOSFET导通时（关闭时间） 。在此期间，将反应保持销ISENx和PGNDSx
在相同的电压，同时在其中读出电路处于关闭状态时，一个内部夹持保持这两个
在离ISENx相同的电压下沉引脚引脚所需的电流。
专有的电流读出电路可以非常精确和高带宽读数为正和
负电流。此电路再现用高速流动的电流通过感测元件
追踪&保持跨导放大器。特别是，它读取当前在断开的第二半
时间减少噪声注入到器件中，由于MOSFET的导通（参见图4） 。跟踪时间必须至少为
为200ns ，使电流提供适当的阅读。
图4.当前读时序（左）和电路（右）
I
LS1
LGATEx
I
LS2
Rg
ISENX
总电流
信息
I
ISENX
Rg
PGNDSx
追踪&保留
50
A
该电路源从PGNDSx引脚的恒定电流50μA ，并保持引脚ISENx和PGNDSx在
相同的电压。参照图4 ，这在ISENx销中流动的电流由下面再给出
公式：
R
SENSE
I
相
=
50A
+ ---------------------------------------------- =
50 A
+
I
信息X
I
ISENX
R
g
其中R
SENSE
是一个外部检测电阻器或RDS ，在低边MOSFET和Rg为跨导
电阻ISENx和PGNDSx引脚对读点之间使用;我
相
由每个在当前进行
相和，特别是在当前测量的振荡器周期的中间
内部重放的当前信息是由上述方程中的第二项为代表
如下：
R
SENSE
I
相
I
信息X
= ----------------------------------------------
R
g
由于电流读出在差分模式下，还负电流信息被保持;这允许该设备
检查两相之间危险返回当前确保之间的完全均衡
相的电流。
从各相的电流信息，关于总电流的信息传递（我
FB
= I
INFO1
+ I
INFO2
)
与各相的平均电流（I
AVG
= (I
INFO1
+ I
INFO2
）/ 2）被取。我
INFOX
然后，相对于我
AVG
以得到校正的PWM输出，以便均衡由两个阶段进行的电流。
跨导电阻器RG的设计必须以有25μA的每相电流信息
在满额定负载;过电流的干预阈值设置为额定电压的140％ （ IINFOx = 35μA ） 。
根据上述关系，限制电流（I
LIM
）对于每个相，其具有被放置在二分之一
总交付的最大电流，结果：
35
A
R G
-
I
升IM
= --------------------------
R
SENSE
I
LIM
R
SENSE
Rg
= -------------------------------------
35 A
过电流时，检测流入感应元件的电流是额定电压的大于140 ％
11/33
R
SENSE
I
相
