PD - 95864
IRF7842
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
同步MOSFET用于笔记本
处理器电源
l
二次同步整流
用于隔离型DC -DC转换器
l
同步
FET用于非隔离
DC- DC转换器
好处
l
非常低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
l
低栅电荷
l
充分界定雪崩电压
和电流
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
QG （典型值）。
33nC
40V 5.0米： @V
GS
= 10V
A
A
D
D
D
D
S
S
S
G
1
8
2
7
3
6
4
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
40
± 20
18
14
140
2.5
1.6
0.02
-55到+ 150
单位
V
f
功耗
f
功耗
c
A
W
线性降额因子
工作结
存储温度范围
W / ℃，
°C
热阻
R
θJL
R
θJA
g
结到环境
fg
结到漏极引线
参数
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
9页
www.irf.com
1
4/26/04
