IRF7809AV
电气特性
参数
漏 - 源
击穿电压
静态漏源
抗性
栅极阈值电压
漏源漏
当前
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
1.0
30
150
I
GSS
Q
G
Q
G
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
d
t
f
C
国际空间站
C
OSS
–
–
–
（关闭）
民
30
典型值
–
7.0
最大
–
9.0
单位
V
m
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 15A
V
DS
= V
GS
,I
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0,
TJ = 100℃
V
GS
= ±12V
V
GS
= 5V ，我
D
= 15A ，V
DS
=20V
V
GS
= 5V, V
DS
＆ LT ; 100mV的
V
DS
= 20V ，我
D
= 15A
目前*
A
nA
栅源漏
目前*
总闸门变动续FET
总闸门变动同步FET
预Vth的
栅极 - 源电荷
后Vth的
栅极 - 源电荷
栅漏电荷
切换变动（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出电荷*
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
±100
41
36
7.0
2.3
12
14
30
1.5
14
36
96
10
3780
1060
130
–
–
–
21
45
62
54
nC
I
D
= 15A ，V
DS
=16V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
V
DD
= 16V ，我
D
= 15A
ns
V
GS
= 5V
钳位感性负载
pF
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
反向传输电容C
RSS
源极 - 漏极评级&特点
参数
二极管正向
电压*
反向恢复
充电？
反向恢复
充电（与并行
肖特基） ？
V
SD
Q
rr
Q
RR （S ）
120
民
典型值
最大
1.3
单位
V
nC
条件
I
S
= 15A ?? ，V
GS
= 0V
的di / dt
~
700A/s
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
150
nC
的di / dt = 700A / μs的
（有10BQ040 ）
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
脉冲宽度
≤
400微秒;占空比
≤
2%.
当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。
典型值=测量 - Q
OSS
在V测得的典型值
GS
= 4.5V ，我
F
= 15A.
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