IRF7506
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-30
–––
–––
–––
-1.0
0.92
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
-0.039
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.5
1.3
2.5
9.7
12
19
9.3
180
87
42
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.27
V
GS
= -10V ，我
D
= -1.2A
0.45
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.60A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -0.60A
-1.0
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
-100
V
GS
= -20V
nA
100
V
GS
= 20V
11
I
D
= -1.2A
1.9
nC
V
DS
= -24V
3.7
V
GS
= -10V ，见图。 6,9
–––
V
DD
= -15V
–––
I
D
= -1.2A
ns
–––
R
G
= 6.2
–––
R
D
= 12Ω ，见图。 10
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -25V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
30
37
-1.25
A
-9.6
-1.2
45
55
V
ns
nC
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.2A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.2A
的di / dt = -100A / μs的
注意事项：
重复评价 - 脉冲宽度有限的最大。结温度（参见图11）
I
SD
≤
-1.2A ， di / dt的
≤
-140A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS - 占空比
≤
2%
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
