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修订概要
版本A（ 1997年5月）
Am29F016B的初始版本（ 0.35微米）的设备。
版本C（ 1999年1月）
全球
更新的CS39S工艺技术。
特色鲜明
补充：
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
直流特性， CMOS兼容
版本B（ 1998年1月）
全球
制成的格式和布局与其他数据相一致
床单。用于更新通用表格和图表。
版本B + 1 （ 1998年1月）
AC特性只读操作
删除音符指输出驱动器禁用时间。
图16临时机构集团撤消
计时
更正标题注明“类别组”。
I
CC3
, I
CC4
：补充说明4 ， “因为只有我CMOS模式
CC3
,
I
CC4
= 20 μA ，在扩展级温度（大于+ 85 ° C） “ 。
直流特性-TTL / NMOS和兼容
CMOS兼容
版本B + 2 （ 1998年4月）
全球
增加了-70的速度选项，删除了-75的速度选项。
特色鲜明
变更后的最低100K写入/擦除周期瓜拉尼
开球100万。
订购信息
添加扩展级温度可用性-90 ， -120 ，
和-150速度选项。
工作范围
添加扩展级温度范围。
直流特性， CMOS兼容
纠正了CE＃和RESET ＃测试条件
I
CC3
我
CC4
到V
CC
±0.5 V.
AC特性
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
,
I
CC4
：补充说明2 “我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
”.
I
CC3
,
I
CC4
：删除V
CC
= V
CC
马克斯。
版本C + 1 （ 1999年3月23日）
工作范围
的温度范围，现在被指定为环境温度。
版本C + 2 （ 1999年5月17日）
产品选择指南
纠正吨
OE
规格为-150 OP-速度
重刑55纳秒。
工作范围
V
CC
电源电压
：新增“V
CC
为± 5 ％的设备。
4.75 V至5.25 V“ 。
版本C + 3 （ 1999年7月2日）
全球
在已知添加引用到设备的可用性
好芯片（KGD ）的形式。
擦除/编程操作;擦除和编程操作
ations备用CE＃控制写道：
纠正
指出了T参考
WHWH1
和T
WHWH2
。这些参
ETERS都经过100％测试。校正注释引用
t
VCS
。这个参数不是100 ％测试。
临时机构撤消表
在t补充说明参考
VIDR
。该参数不
100 ％测试。
擦除和编程性能
变化最小的100K计划和擦除周期
保证1,000,000。
版本D （ 1999年11月16日）
交流特性 - 图11.计划
操作时序图12.芯片/扇区
擦除操作
删除吨
GHWL
并改变OE ＃波形开始
高。
物理尺寸
换成数字更详细的说明。
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Am29F016D
