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Am29F016D
16兆位（2M ×8位）
CMOS 5.0伏只，统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
5.0 V
±
10 ％ ，单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.23微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F016和0.32微米
Am29F016B设备
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
s
灵活的部门架构
- 每64千字节32部门制服
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
- 集团部门保护：
锁定机构团体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48引脚和40引脚TSOP
- 44引脚SO
- 已知合格芯片（ KGD ）
（参见出版号21551 ）
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由，或程序数据，一个非擦除扇区，
然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 复位内部状态机读方式
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
21444
启：
E
Amendment/+2
发行日期：
2001年3月23日
