位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第333页 > ACT-RS128K32N-045F2Q > ACT-RS128K32N-045F2Q PDF资料 > ACT-RS128K32N-045F2Q PDF资料1第3页
（ 4.5Vdc< V
CC
< 5.5VDC ，V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有规定）
参数
符号
条件
CE = V
IH
， OE = V
IH
,
F = 5兆赫，V
CC
=最大，
CMOS兼容
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4.0毫安，V
CC
=分钟
2.4
–035
最小最大
30
0.4
2.4
–045
最小最大
30
0.4
单位
直流特性（续）
待机电流
输出低电压
输出高电压
I
SB
V
OL
V
OH
mA
V
V
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z *
输出使能到输出低Z *
芯片取消选择到输出高Z *
输出禁止到输出高Z *
*这些参数保证了设计，但没有测试
AC特性
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
–035
最小最大
35
35
35
3
0
20
10
–045
最小最大
45
45
45
3
0
20
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写入输出高Z *
从时间写数据保持
地址保持时间
*这些参数保证了设计，但没有测试
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
WHZ
t
DH
t
AH
–045
–035
最小值最大值最小值最大值
35
25
25
18
25
0
10
0
0
0
0
45
35
35
20
35
0
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持电气特性（仅特殊订货）
(T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR1
测试条件
CE
≥
V
CC
– 0.2V
V
CC
= 3V ， 35 &为45nS
所有速度
民
最大
2
5.5
4
单位
V
mA
Aeroflex公司电路技术ACT- RS128K32
3
SCD3659 REV 3
98年12月17日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
