LET21008
射频功率晶体管
增强型LDMOS技术
在塑料包装
目标数据
专为GSM / EDGE / IS- 97 / WCDMA
应用
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 8 W 11 dB增益@ 2170兆赫/ 26V
新的无铅塑料封装
ESD保护
PowerFLAT
(5x5)
订货编号
LET21008
BRANDING
21008
描述
该LET21008是一个公共源的N沟道，
增强模式横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益，宽频带
商业和工业应用。它的工作
在26 V的共源模式下频率高达
2.1 GHz的。 LET21008拥有出色的增益，
线性ST最新的LDMOS和可靠性
技术安装在创新的无引线
SMD
塑料
包装，
PowerFLAT 。
LET21008卓越的线性度性能使
它为基站的理想解决方案应用
系统蒸发散。
引脚连接
顶视图
绝对最大额定值（T
例
= 25
°
C)
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS
I
D
P
DISS
Tj
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T = 70 ° C）
马克斯。工作结温
储存温度
参数
价值
65
-0.5至+15
2.0
待定
150
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
热数据
R
日（J -C ）
结-Case热阻
待定
° C / W
15 2003年4月
1/4
