LFC789D25
双直线FET控制器
SLLS565B - 2003年3月 - 修订2004年9月
应用信息
MOSFET的选择：由NMOS导通元件优势REVISITED
具有外部通元件的一个很大的优点是，该控制电路可以由单独的供电
电源（V
CC
），比用作输入到所述传输元件的一个其它（Ⅴ
PWR
） 。此功能允许使用
的NMOS旁路元件，这就需要一个正V
GS
＆ GT ;
V
T
用于操作。用一个单独的V
CC
引脚到
控制器，在所述NMOS的栅极上的电压很容易地可以超过在漏极上的电压;因此，V
GS
可以很容易地
超过V
DS
+ V
T
，使NMOS在三极管区中工作（Ⅴ
DS
≥
V
GS
V
T
） 。在三极管区，V
DS
可以非常小，从而实现了非常低的压差。
选择的传输晶体管的外部NMOS对的整体特性显著影响
调节剂，如在下面的段落中讨论。
最大输出电流
外部调整元件的一个好处是，设计者罐尺寸的NMOS轻松地维持最大
I
OUT
的预期。这允许极大的灵活性，以及节省成本和空间，因为每个稳压器都有它
通过量身定制的个性化需求的元素。另外，使用的NMOS旁路元件允许使用更小尺寸
（随后，更低的成本）比对于相同的电流承载能力的PMOS元件。
降
选择一个NMOS非常低R
DS （ ON）
特性提供了稳压器具有非常低的压差，因为
差会
I
OUT
×
R
DS （ ON）
。这更低的压差也导致更高的效率和更低的发热量耗散
在一个给定予旁路元件
OUT
.
最大可编程输出电压和NMOS阈值电压V
T
可以由可编程调节器进行调节的最大输出电压取决于该设备的
电源（V
CC
）和阈值电压（V
T
）的NMOS的。随着驱动电压连接到所述栅极和V
OUT
连接到NMOS ，一个最小V的源
GS
= V
T
必须保持，以保持在
n沟道反型层。最大V
OUT
的计算方法如下：
V
OUT
= V
S
= V
G
V
T
随着V
CC
= 12伏和9伏，最高可达到相应的最坏情况下的栅极驱动电压
V
OUT
= 9 V V
T
.
稳定性
老NPN稳压器的质量在几乎任何类型的负载条件下，输出其内在的稳定性
电容器。一个NMOS稳压器具有相同的利益。因此，电容的选择和
等效串联电阻不需要的稳定性（ ESR）的值，但仍然应当恰当地选择为
最好的瞬态响应（见下文） 。
电容的选择
C
OUT
虽然最小电容不需要用于稳定与一个NMOS传递器件，更高的电容
值改善瞬态响应。另外，低ESR的电容也有助于瞬态响应。钽电容或
铝电解可用于散装电容，而陶瓷旁路电容器可以用来
分离，由于其低ESL （等效串联电感）的高频的瞬变。
C
in
：输入电容放置在NMOS的漏极通过晶体管（V
PWR
）有利于提高整体瞬态
响应通过抑制V潮
PWR
在快速的负荷变化。低ESR的钽电容或铝电解
电容器都可以使用;高电容值改善瞬态响应。一个0.1 μF陶瓷电容即可
被放置在V
CC
在LFC789D25引脚来提供旁路。
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邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
