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RAD TOLERANT
ACT- RS128K32高速
4兆位的SRAM多芯片模块
特点
s
整体结构为128K ×32
s
耐30KRad （SI ）
s
闭锁抗扰度112MeV / （毫克/平方厘米
2
)
s
输入和输出TTL兼容
s
35 &为45nS访问时间
s
整个军用（ -55 ° C至+ 125°C ）温度范围
s
对于每MIL -PRF- 38534 K类设备 - 联系工厂
s
+ 5V电源
s
选择4全密封共烧包：
q
68引脚，薄型CQFP （ F1 ） ， 1.56"SQ X .140"max
q
68引脚，双腔CQFP （ F2 ） ， .88"SQ X .20"max （ .18"max厚度
可用，请与工厂联系获取详细信息）
（落入68引脚JEDEC .99"SQ
CQFJ足迹）
q
66引脚， PGA型（ P1 ） ， 1.385"SQ X .245"max
s
内部去耦电容
www.aeroflex.com/act1.htm
初步
s
4低功耗CMOS 128K ×8的SRAM在一个MCM
电路科技
概述
在ACT - RS128K32是高
速度4兆位CMOS SRAM
多芯片
模块
（ MCM ）
专为全温度
范围，军用，太空，或高
可靠性，大容量存储器和
快速缓存的应用程序。
所述MCM可以组织
作为一个128K ×32位， 256K ×16
位或512K ×8位的设备和
是输入和输出的TTL
兼容。在执行写
当写使能（WE ）
和芯片使能（ CE ）输入是
低。读完成
当我们高， CE和
输出使能（OE ）都
低。访问时间等级
为35ns ，并为45nS最大的是
标准。
+5伏电源
版本为标准。
该产品被设计为
工作在温度
范围为-55 ° C至+ 125 ° C和
在整个军用屏蔽
环境。 DESC标准
军事图纸（ SMD ）的一部分
数字仍在进行中。
该
ACT-RS128K32
is
在Aeroflex的制造
80,000ft
2
MIL-PRF-38534
在Plainview的认证机构，
纽约州
框图 - PGA型封装（ P1 ） & CQFP （ F2 ）
引脚说明
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
I / O
0-31
A
0
– A
16
OE
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
A
0–16
WE
1–4
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图 - CQFP （ F1 ）
引脚说明
CE
1
WE
OE
A
0
– A
16
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
CE
2
CE
3
CE
4
I / O
0-31
A
0–16
WE
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD3659 REV 3 98年12月17日
