位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第101页 > K9F1G08U0M-VIB0 > K9F1G08U0M-VIB0 PDF资料 > K9F1G08U0M-VIB0 PDF资料1第1页
电子
三月。 2003
圣16半月里
泰安邑Hwasung-市
京畿待办事项，韩国
联系电话）， 82 - 31 - 208 - 6463
传真） 82 - 31 -208 - 6799
1.8V的1Gb NAND闪存勘误表
描述
：有些交流特性不符合规范。
>交流特性：请参考表
受影响的产品
： K9F1G08Q0M - YCB0 / YIB0 ， K9F1G16Q0M - YCB0 / YIB0
K9K2G08Q0M - YCB0 / YIB0 ， K9K2G16Q0M - YCB0 / YIB0
改进时间表
：该组件定位到符合规格
预计可通过每周工作25沿
与最终规格值。
解决方法
：根据下表放松相关的定时参数。
表
参数
规范
宽松的条件
TWC
45
80
亿千瓦时
15
20
TWP
25
60
TRC
50
80
tREH定义
15
20
激进党
25
60
单位： NS
TREA
30
60
TCEA
45
75
此致，
chwoosun@sec.samsung.com
产品规划&应用工程。
存储事业部
三星电子有限公司
1
