摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MRF19060 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
1.9至2.0千兆赫。适用于CDMA，TDMA， GSM和多载波放大器
应用程序。
典型的CDMA业绩：1960兆赫， 26伏
IS- 97 CDMA导频，同步，寻呼，交通守则8到13
输出功率 - 7.5瓦
功率增益 - 12.5分贝
邻道功率 -
885千赫： -47 dBc的@ 30 kHz的带宽
1.25兆赫： -55 dBc的@ 12.5 kHz的带宽
2.25兆赫： -55 dBc的@ 1 MHz带宽
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 1.93千兆赫， 60瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
可在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每56毫米， 13英寸
卷轴。
MRF19060
MRF19060R3
MRF19060SR3
1990年兆赫， 60 W， 26 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465-06 ，风格1
NI–780
MRF19060R3
CASE 465A -06 ，风格1
NI–780S
MRF19060SR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
≥
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
180
1.03
-65到+150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.97
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
第5版
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF19060 MRF19060R3 MRF19060SR3
1
