SHARP
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LHF16KA7
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4.8字/字节写命令
字/字节写操作是通过一个双周期指令执行
序列。字/字节写入设置（标准或40H
备用10H ）写入，随后是第二写
指定的地址和数据（锁存的
的WE＃上升沿） 。在WSM然后接管，
控制字/字节写和写校验
内部的算法。字/字节后
写
顺序写入时，设备会自动输出
状态寄存器的数据读出时（参见图7）。该
CPU可以检测完成字/字节写的
事件通过分析STS引脚或状态寄存器位
SR.7.
当字/字节写操作完成时，状态寄存器位
SR.4会被检查。如果字/字节写入错误
检测到时，状态寄存器应被清除。该
内部WSM验证仅检测为“1”的错误
没有成功地写入“0” 。崔留在
读状态寄存器模式，直至收到新
命令。
可靠的字/字节写操作只能发生在
的Vcc = Vcc的,, 2和VPP = VPPH112,3.In没有
此高电压，存储器的内容受到保护
对字/字节写入。如果字/字节写操作
试图同时V + V ,,,,,
状态寄存器位SR.3
和SR.4将被设置为“1”。成功的字/字节
写要求相应的块锁位
清除或者，如果设置，即WP ＃ = V ,, 。如果字/字节写操作
当对应的块锁位是企图
置和WP＃ = V ,,, SR.1和SR.4将被设置为“1”。
字/字节写操作
与V ,, <WP ＃ <V ,,
产生虚假的结果，并应
不
企图。
”
继续监测XSR.7写多字/字节
与写地址，直到XSR.7转换设置写
为1。当XSR.7转变到图1，设备准备好
用于加载数据到缓冲区。一个字/字节数
（ N） -1写入写地址。写后
字/字节数（N） -1 ，该装置将自动开启
回输出状态寄存器的数据。字/字节
数（N） -1必须处于x8的小于或等于1FH
模式（ OFH在x16模式） 。在接下来的写入时，设备
开始地址被写入缓冲数据。 Subsequen
写操作提供额外的设备的地址和数据
根据计。所有后续ADDRES ：
必须位于起始地址加计数。 AFTE
最后的缓冲区中的数据写入，写确认（ DOH
必须被写入。这将启动WSM开始COPYIN ！
缓冲区数据到闪存阵列。无效的马尔
字/字节写入命令序列会导致II
这两个状态寄存器位SR.4和SR.5被设置TC
“1”。额外多字/字节写，写anothe
多字/字节写操作的设置和检查XSR.7 。 THT
多字/字节写命令可以queuec
而WSM忙只要XSR.7表示“1”的
因为LH28F160S3HT - LlOA
有两个缓冲器。如果AR
在写错误发生时，设备将停止writins
并冲洗下一个多字/字节写入命令装载机
多字/字节写命令。状态寄存器的双
SR.4将被设置为“1”。没有多字/字节writ6
命令才可用，如果任SR.4和SR.5是SE
为“1” 。 SR.4和SR.5前应清除
发行多字/字节写命令。如果MULT
字/字节写命令试图过去擦除
数据块边界，该装置将数据写入到Flast
排列起来。到擦除块边界，然后鹿
写作。状态寄存器位SR.4和SR.5会本身
为“1 ”导
可靠的多字节写操作只能发生wher
VCC = Vcc1,2和VPP = VP H11213.In没有
这种高电压，内存内容protectec
针对多字/字节写入。如果多字/字节写
尝试而V + V ,,,,,
状态寄存器位
SR.3和SR.4将被设置为“1”。成功muIt ，
字/字节写操作需要相应的块
锁定位被清除，或者，如果设置了WP ＃ = V ,, 。如果muIt ，
字节写操作时，尝试相应的块
锁定位设置和WP ＃ = V ,,, SR.l和SR.4会
设定为“1 ”导
4.9多字/字节写命令
多字/字节写入至少由四执行
ycle或高达35cycle命令序列。最多
在X8模式下32字节（ XL6模式16个字）可
oaded到缓冲器和写入到闪存阵列。
= IRST ，多字/字节写入设置（ E8H ）被写入
：他写的地址。在这一点上，该装置
自动输出扩展状态寄存器数据
： XSR）中读出时（见图8,9） 。如果延长
状态寄存器位XSR.7为0 ，没有多字/字节
Nrite命令可用，多字/字节写
设置这只是已被写入被忽略。重试，
修订版1.9
