SHARP
_-
=
LHFlGKA7
表3.总线的运行（ BYTE ＃ = V ， UJ
CE“ ＃
CE ＃
OE ＃
WE＃ 1地址
RP ＃
V,,
V,,
V,,
V，H
X
V，W
V,,
V，W
V，H
X
V,,
V，H
v 11
v,,,
1
X
SEE
图4
请参阅表
7-11
I
9
模式
读
输出禁用
笔记
1,2,3,9
3
1 VPP
X
X
1 DQnm15 1 STS
D&r
X
高Z
X
吉普车掉电
铅标识符
矿脉
询问
I
4
9
9
I
V,,
六，
VLH
I
X
%L
六，
I
X
%L
4,
I
X
4,
六，
I
X
4,
VLH
1
第七
X
X
x
1
x
1
高Z
注5
注6
DIN
I
高Z
高Z
高Z
x
写
1
3,7&W
1
‘.‘,H
1
第七
1
第七
1
VI'I
X
六，
深度掉电
读取识别
代码
询问
4
9
9
六，
‘1,
‘1,
X
VLL
六，
V，W
X
六，
六，
X
YL
六，
X
‘1,
VLH
X
DIN
X
第七
第七
V，H
第七
3,7,8,9
六,,
写
注意事项：
存储器的内容可以被读取，但不被改变。
1.参考直流特性。当V&f ,,,,,
2， X可以是V ,,或VRH的控制引脚和地址，和VP ,,,或VPR + RT / 2 / s的V ,,。见DC特性
BPLK
和
VPPH1/~3
voitagese
X
SEE
图4
请参阅表
7-11
X
X
X
x
高Z
注5
注6
高Z
高Z
高Z
3. STS为V ,, （如果配置为RY / BY ＃模式）时， WSM正在执行内部块擦除，整片擦除，
（多）字/字节写入或块锁定位配置算法。当WSM不忙时它是浮动的，
在块擦除暂停与（多）字/字节模式写不活跃， （多）字/字节写入暂停模式，或
.
深层动力;掉电模式。
4. RP ＃在GN&O.2V保证最低深度掉电电流。
读识别码数据5.见4.2节。
查询数据6.请参阅第4.5节。
7.命令将涉及到块擦除，整片擦除， （多）字/字节写入或块锁定位配置是
可靠地执行时
Vpp=VPPH1/2/3
和VCC = VCC1 2 。
8.请参考表4为有效D ,,在写操作期间。
9.不要使用这两个时间OE ＃和WE ＃的VI ，。
,
修订版1.9
