LMH6503
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差： （注4 ）
人体
机器型号
输入电流
V
IN
迪FF erential
输出电流
电源电压（V
+
- V
)
电压输入/输出引脚
焊接方式：
2KV
200V
红外线或对流（ 20秒）
波峰焊（ 10秒）
存储温度范围
结温
235C
260C
-65 ° C至+ 150°C
+150C
工作额定值
（注1 ）
电源电压（V
+
- V
)
温度范围
热阻：
14引脚SOIC
14引脚TSSOP
θ
JA
138C/W
160C/W
5V至12V
-40 ° C至+ 85°C
θ
JC
45C/W
51C/W
±
10mA
±
(V
+
V
)
120毫安（注3）
12.6V
V
+
+0.8V,V
- 0.8V
电气特性
（注2 ）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25 ° C，V
S
=
±
5V ，A
V（最大值）
= 10, V
CM
= 0V ，R
F
= 1kΩ的，R
G
= 174, V
IN-
Φdiff
=
±
0.1V ，R
L
= 100, V
G
= +1V.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
BW
GF
参数
-3dB带宽
增益平坦度
条件
V
OUT
＆ LT ;
0.5
PP
V
OUT
＆ LT ;
0.5
PP
, A
V（最大值）
= 100
V
OUT
＆ LT ;
0.5V
PP
,
1V
＆ LT ;
V
G
＆ LT ;
1V,
±
0.2dB
民
（注6 ）
典型值
（注6 ）
135
50
40
20
6.6
100
1.6
2.6
48
79
68
2.2
10
1800
4.6
最大
（注6 ）
单位
频域响应
兆赫
兆赫
ATT范围平带（相对于最大增益）
衰减范围（注13 ）
BW
控制
PL
摹延迟
CT （ dB）的
GR
增益控制带宽
线性相位偏差
群时延
馈通
增益调整范围
±
0.2分贝平整度，女
＆ LT ;
30MHZ
±
0.1分贝，女
＆ LT ;
30MHZ
V
G
= 0V （注11 ）
DC至60MHz
直流为130MHz
V
G
= -1.2V ， 30MHz的（输出
简称）
f
＆ LT ;
10MHz
f
＆ LT ;
30MHz
兆赫
兆赫
度
ns
dB
dB
时间域响应
t
r
, t
f
操作系统％
SR
G
率
上升和下降时间
冲
压摆率
增益变化率
0.5V步骤
0.5V步骤
4V步（注5 ）
V
IN
= 0.3V时， 10％的最终-90％
产量
2V
PP
， 20MHz的
2V
PP
， 20MHz的
2V
PP
， 20MHz的
1MHz至150MHz的
1MHz至150MHz的
F =为4.43MHz ，R
L
= 150Ω ，NEG 。
SYNC
F =为4.43MHz ，R
L
= 150Ω ，NEG 。
SYNC
ns
%
V / μs的
分贝/ NS
失真&噪声性能
HD2
HD3
THD
恩TOT
I
n
DG
DP
2
nd
谐波失真
3谐波失真
总谐波失真
总等效输入噪声
输入噪声电流
微分增益
微分相位
rd
60
61
57
6.6
2.4
0.15
0.22
dBc的
dBc的
dBc的
内华达州/
PA /
%
度
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2
