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HM62W256系列
低V
CC
数据保持特性
（大= 0至+ 70 ° C）
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR
民
2.0
—
—
—
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
注：1 。
2.
3.
4.
5.
6.
t
CDR
t
R
0
t
RC*5
典型值
*
1
最大
—
0.05
0.05
0.05
—
—
3.6
30
*2
8
*3
3
*4
—
—
ns
ns
见保留波形
单位
V
A
测试条件
*6
CS
≥
V
CC
- 0.2 V ，输入电压
≥
0 V
V
CC
= 3.0V，输入电压
≥
0 V
CS
≥
V
CC
– 0.2 V,
典型值是在V
CC
= 3.0 V， TA = 25 ℃，并不能保证。
10
A
最大。在Ta = 0 + 40°C 。
这个特点保证只L- SL版本。 2.5
A
最大。在Ta = 0 + 40°C 。
这个特点保证只L- UL版本。 0.6
A
最大。在Ta = 0 + 40°C 。
t
RC
=读周期时间。
CS
控制地址缓冲器，
WE
缓冲液，
OE
缓冲液，以及锭缓冲器。如果
CS
控制数据保留
模式中，其他的输入电平（地址，
WE ， OE ，
I / O）可以在高阻抗状态。
低V
CC
数据保留时序波形
数据保持方式
V
CC
3.0 V
t
CDR
2.0 V
V
DR
CS
0V
CS
＆ GT ;
V
CC
– 0.2 V
t
R
11
