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超小型高精度电压检测器
S- 808xxC系列
2. CMOS输出产品
2-1 。检测电压Typ.1.4 V以下的产品
表16
Rev.3.2
_00
项
检测电压
*1
释放电压
符号
V
DET
+V
DET
条件
S-80808
S-80809
S-80810
S-80811
S-80812
S-80813
S-80814
S-80808
S-80809
S-80810
S-80811
S-80812
S-80813
S-80814
S- 80808 09
V
DD
=1.5
V
S- 80810至14
V
DD
=2.0
V
输出晶体管，
N沟道，V
DS
=0.5
V, V
DD
=0.7
V
输出晶体管，
PCH ，V
DS
=2.1
V, V
DD
=4.5
V
滞后幅度
V
HYS
消耗电流
工作电压
输出电流
I
SS
V
DD
I
OUT
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
TEST
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电路
V
DET （S ）
V
DET （S ）
V
DET （S ）
V
1
×0.98
×1.02
0.802
0.834
0.867
0.910
0.944
0.979
1.017
1.054
1.091
1.125
1.164
1.203
1.232
1.273
1.315
1.340
1.383
1.427
1.448
1.493
1.538
0.018
0.034
0.051
0.028
0.044
0.061
0.037
0.054
0.071
0.047
0.064
0.081
0.056
0.073
0.091
0.066
0.083
0.101
0.076
0.093
0.110
1.3
3.5
2
A
1.3
3.5
0.65
5.0
V
1
0.04
2.9
0.2
5.8
mA
3
4
响应时间
t
PLH
60
1
s
检测电压
V
DET
温度
Ta=40
°C
to
+85 °C
±100
±350
PPM /°C的
*2
Ta
V
DET
系数
*1.
V
DET
：实际检测电压值，
V
DET （S ）
：指定检测电压值（中心值
检测电压范围在
表3 4中
.)
*2.
温度变化率的检测电压[毫伏/ ℃]是通过使用下面的等式计算。
V
DET
[
毫伏/
°
C
]
*1
=
V
DET （S ）
(
典型值。
)
[
V
]
*2
×
V
DET
[
PPM /
°
C
]
*3
÷
1000
Ta
V
DET
Ta
*1.
检测电压的温度变化率
*2.
设定检测电压
*3.
检测电压的温度系数
16
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