M50LPW040
表11.命令
周期
总线写操作
1st
ADDR
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
数据
FFH
70h
90h
98h
40h
10h
30h
80h
20h
50h
B0h
D0h
00h
01h
60h
2Fh
C0h
PA
PA
A
1
X
BA
PD
PD
PD
10h
D0h
A
2
PD
A
3
PD
A
4
PD
2nd
ADDR
数据
3rd
ADDR
数据
4th
ADDR
数据
5th
ADDR
数据
命令
读取内存阵列
读状态寄存器
阅读电子签名
1
1
1
1
2
节目
2
四字节编程
芯片擦除
块擦除
清除状态寄存器
编程/擦除挂起
编程/擦除恢复
5
2
2
1
1
1
1
1
无效/保留
1
1
1
注： x无关， PA程序地址， PD程序数据，A
1,2,3,4
连续的地址， BA的任何地址块。
读存储器阵列。
读存储器阵列命令后，读取内存正常，直到另一个命令发出。
读状态寄存器。
读状态寄存器命令后，读状态寄存器为正常，直到另一个命令发出。
阅读电子签名。
读电子签名命令后，读厂商代码，设备代码，直到读MEM-
储器阵列命令发出。
块擦除，编程。
经过这些命令读状态寄存器，直到命令完成，另一个命令是 -
起诉。
四字节编程。
此命令仅在A / A复用方式下有效。解决了
1
, A
2
, A
3
AND A
4
必须是连续的地址
只为地址位A0和A1不同。在这之后命令读状态寄存器，直到命令完成，另外的COM
命令发出。
芯片擦除。
此命令仅在A / A复用方式下有效。在这之后命令读状态寄存器，直到命令完成
和另一个命令发出。
清除状态寄存器。
之后，清除状态寄存器命令位1 ， 3 ，状态4和5寄存器复位为“0” 。
编程/擦除挂起。
程序后/擦除挂起命令已被接受，问题读存储器阵列，读取状态
寄存器，程序（在擦除暂停）和编程/擦除恢复命令。
编程/擦除恢复。
程序后/擦除恢复命令暂停编程/擦除操作恢复，读取
状态寄存器，直到编程/擦除控制器完成的内存返回到读取模式。
无效/保留。
不要使用无效或保留的命令。
状态寄存器。请参阅地位的部分
注册有关状态的定义细节
寄存器位。在芯片擦除操作
内存只接受读状态寄存器
命令。所有其他的命令将被忽略。
典型芯片擦除时间如表12 。
芯片擦除命令将所有的位
存储为“1” 。参见图17 ，芯片擦除液流 -
图和伪码，对于建议的流程图
使用芯片擦除命令。
块擦除命令。
块擦除的COM
命令可以用于擦除的块。两个总线写
12/36
需要操作发出的命令;该
第二个总线写周期锁存块地址
在内部状态机，并启动副校
克/擦除控制器。一旦该命令是是 -
随后起诉总线读操作读
状态寄存器。请参阅地位的部分
注册有关状态的定义细节
寄存器位。
如果该块被保护，那么在块擦除
操作终止，在该块中的数据将不
改变，状态寄存器将输出
错误。
